1980年左右，中科院半导体所🔩开始研制JK-1型半自动接近♔式光刻机，于1981年研制成功两台样机。
而由于美国在50年代就已经拥有了接触式光刻机，相比之下，中国落后了将近20年，同时国外从1978年开始转向分步重复投影光刻，此时中国🍶🌡科学界也认识到，分布投影光刻技术的优越性，但限于国内工业技术差难以实现📥🜿。
在1978年世界上第1台DSW光刻机问世👬🌀🟏不久，机电部第45所，就开始跟踪研究分步式光刻机，对标美国的🖜4800DSW，1985年研制出了BG-101分部光刻机样机，并通过电子部技术鉴定，认为达到了美国同类产品水平，而当时采用的是436纳米G线光源。
这也就意味着1985年的时候，中国在高科技领域与🕣国外的差距拉近到了7年左右，也就是达到了美国📋1978年的水平。
可以看出国产光刻机。研发在上世纪70年⛂代后期起不直到8🙮🍮0年代，后期技术一直在推进，并且取得了一定的代表性成果。
然而到了80年代中后期，中国却因为技术封锁以及买办思想盛行，造成了光刻🗍🚔📃机🖟📵的落后。
当时的🛸♡巴统协议不批准向中国出售先进的设备，国外工艺线已用0.5微米的设备时，却只对我国出口1.5微米的设备，整整差了三代，此外8组还规定对我国出口的光刻机镜头na必须小于0.17，既只能有二微米以上的分辨率。
所以说目前段云从⚈日本东芝引进的三微🁜米芯片制程生产线，是正好符合巴统协议要求的，而目前日本最先进的0.9微米制程的芯片生产线，是巴统协议严格禁止对中国出口的。
段云如果想制作出一微米制程的芯🔩片，目前是不可能从国外直接买到现成🝥设备的，只能靠国内研发。
因为买办思想的盛行，当时中国的光刻机虽然技术领先，但是也遇到很多的问题，因为搞研发就需要有很多的资金投入，🛌但这些资金投入之后，有一些技术上🞀的问题，在当时又不能够很好的解决，🗝🜣因此看到国外很多先进的设备之后，国家也就放弃了，对设备的研发变成了购买。
这样最终就导致了中国的光刻💕👪机研发上完全停滞，很多搞光刻机研♔发公司因为没有🖟📵资金的支持就变得岌岌可危，最后公司也倒闭破产。
段云如果想制作出世界领🟡🞨先的NAND闪存芯片，并且在闪存芯片领域保持长期的优势🙍地位，那就必须🎵🕚要有更先进的光刻机。
在摩尔定律下，每18个月集成电路上可容纳的晶体管数目就🙮🍮会增加一倍，这就需要生产芯片的光刻机保持迭代。
段云可以选择投🙀资开发国产光刻机，但投入的资金比较大，而且周期也比较长，有点远水解不了近渴。
经过一番思考后，段🈪云决定做两方面的准备，一方面就是和国内的科研院所相关机构合作，共同开发工作机🕚。⚱
另外一方面就是要想方设法从国外直接购😇⚶买作为先进的🕣一微米制成光刻机，🍣🌋解决当前的芯片生产线升级问题。
但是从哪一家购买光刻机却成了一个问题。
后世的人一提起光⚈刻机，很容易就想起了荷兰的阿斯麦公司，而在1988年的时候，阿斯麦公司在光刻机领域并没有多大的名气，而且这家公司几乎濒临破产，甚至连发工资🅭的钱都没有了。
早年的阿斯麦诞生于飞利浦物理实验室和飞利浦科🉇学与工业🌇☨🁻部，城市一群天才科学家所说的玩具。
20世纪70年代荷兰经济衰退，出🀱🀡现经营危机的飞利浦丧失了不断的兴趣，想要将投资了上亿美元的阿斯麦实🁈🃴验室剥离出去。
最开始🛸♡项目负责人找了三家公司洽🔩谈🀱🀡光刻机的合作事宜，最终都以失败告终。
直到1984年的时候，SI和ASM成立合资公司阿斯麦，双方各占5🝥0%股份。
但公司成立之初，这家合资公司除了十几台光刻机库存，账户上🀠♰只有30万美元。